T3ster

 T3ster®

Thermisches Transientenverfahren


Beim thermischen Transientenverfahren werden einzelne thermische Widerstände sowie Kontaktwiderstände von der Wärmequelle bis zur Wärmesenke aufgeschlüsselt. Unter der Annahme eines    eindimensionalen Wärmepfades und einer bekannten Verschaltung der thermischen Widerstände, können diese ermittelt werden. Die zu charakterisierende Baugruppe wird mit einer elektrischen Sprungfunktion     
beaufschlagt. Die daraus resultierende Sprungantwort wird über einen thermisch sensitiven
Parameter, wie z.B. die Vorwärtsspannung, gemessen. Mittels Kalibrierung vorab lässt sich
aus der elektrischen Sprungantwort die thermische Antwort berechnen.

Die T3ster-Methode wird hauptsächlich dazu eingesetzt die thermischen Eigenschaften von IC-Packages (Chipgehäuse), Leistungshalbleiter, LEDs und Systeme schnell zu bewerten. Allerdings können auch Materialien und Schichtsysteme untersucht werden, in welchen ein eindimensionaler Wärmepfad durch das Material ermöglicht werden kann. So können bspw. Wärmeübergänge zwischen einzelnen Schichten in Form von Kontaktwiderständen charakterisiert werden.
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